9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY1R6N50P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY1R6N50P参考价格$4.542。IXYS IXTY1R6N50P封装/规格：MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252。您可以下载IXTY1R6N50P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY1R4N60P是MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds，包括IXTY1R5N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件还可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为1.1S，沟道模式为增强。
IXTY1R6N100D2是MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如27 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTY1R6N100系列，器件具有65 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为10欧姆，Qg栅极电荷为27 nC，Pd功耗为100 W，封装为管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.6 A，正向跨导最小值为0.65 S，下降时间为41 ns。
IXTY1R6N50D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）500V 1.6A，包括41 ns的下降时间，它们设计为以1 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了1.6 a中使用的电流，它的最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围是-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有100W的Pd功耗，Qg栅极电荷为23.7nC，Rds漏极-源极电阻为2.3欧姆，上升时间为70纳秒，系列为IXTY1R6N50，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
