9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH12N70X2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH12N70X2参考价格$6.85000。IXYS IXTH12N70X2封装/规格：MOSFET N-CH 700V 12A TO247。您可以下载IXTH12N70X2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTH12N70X2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如IXTH12N100库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
IXTH11P50是MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD，包括IXTH11P50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-11 a，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.122V，Rds漏极源极电阻为750mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为130nC，正向跨导最小值为5S，沟道模式为增强。
IXTH110N25T是MOSFET 110 Amps 250V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH110N25系列，器件具有27 ns的上升时间，漏极电阻Rds为24 mOhms，Pd功耗为694 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为110 A，下降时间为27 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH120P065T是MOSFET-120安培-65V 0.01 Rds，包括单配置，它们设计为在21 ns下降时间下工作，数据表说明中显示了用于75 S的正向跨导最小值，提供了Id连续漏极电流特性，如-120 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为298 W，Qg栅极电荷为58 nC，Rds漏极源极电阻为10 mOhm，上升时间为28 ns，系列为IXTH120P065，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.229281盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-65V，Vgs栅极-源极电压为15V。
