9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RTR025N03TL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RTR025N03TL参考价格$6.828。Rohm Semiconductor RTR025N03TL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3。您可以下载RTR025N03TL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RTR020P02TL是MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3，包括RTR020P01系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-96等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为430pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为4.9nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
RTR025N03，带有ROHM制造的用户指南。RTR025N03在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
RTR025N03 TL，电路图由ROHM制造。RTR025N03 TL在SOT-23TSMT3封装中提供，是FET的一部分-单个。
