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RHU002N06T106是MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323，包括RHU002NO6系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-70、SOT-323等封装外壳功能。技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在UMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为200mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为15pF@10V，FET特性为逻辑电平门，4V驱动，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为2.4 Ohm@200mA，10V，栅极电荷Qg Vgs为4.4nC@10V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为200mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
RHU002N06T106-带有ROHM制造的用户指南。RHU002N06T106-在SOT323封装中提供，是FET-单体的一部分。
RHU003N03，电路图由ROHM制造。RHU003N03在SOT-323封装中提供，是FET的一部分-单个。
