9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP22M2UPS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP22M2UPS-13参考价格为1.02375美元。Diodes Incorporated DMP22M2UPS-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8。您可以下载DMP22M2UPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP22D6UT-7是MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523，包括DMP22系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为150mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为175pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为430mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为1.1 Ohm@430mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为430 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为700 mOhms，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
DMP22D4UFA-7B是MOSFET P-CH 20V 0.33A，包括-1V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20V，提供晶体管类型功能，如1P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作DMP22系列。此外，Rds漏极-源极电阻为5欧姆，器件提供0.4 nC Qg栅极电荷，器件具有400 mW的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为X2-DFN0806-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为330 mA，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP22D6UT-7-F，电路图由DIODES制造。DMP22D6UT-7-F采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
