9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STY140NS10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STY140NS10参考价格为14.33000美元。STMicroelectronics STY140NS10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 140A MAX247。您可以下载STY140NS10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STY139N65M5是MOSFET N-CH 650V 130A MAX247，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1信道数信道，该设备具有MAX247？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为625W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis Vds为15600pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为130A（Tc），最大值Rds Id Vgs为17mOhm@65A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为363nC@10V，Pd功耗为625mW，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为130A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为363nC。
STY130NF20D是MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于200 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为232 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联N沟道STripFET，上升时间为218 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhm，Qg栅极电荷为338 nC，Pd功耗为450 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为130A，下降时间为250ns，配置为单。
STY112N65M5是MOSFET N沟道650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5，包括单一配置，它们设计为在96 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1沟道数量的信道，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供625 W Pd功耗，器件具有350 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为19 mOhms，系列为MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为650 V，并且Vgs栅极-源极电压为25V，Vgs第二栅极-源极端电压为4V。
