9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMNS3BM832TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMNS3BM832TA参考价格为2.678美元。Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP。您可以下载ZXMNS3BM832TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN7A11KTC是MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK，包括ZXMN7A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.11W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为298pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为130 mOhm@4.4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.4nC@10V，Pd功耗为8.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.8 ns，上升时间为2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.1A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds导通漏极-漏极电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11.5ns，典型导通延迟时间为1.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN7A11GTA是MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于70 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为1.9 ns，以及11.5 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，系列为ZXMN7A11，上升时间为2 ns，Rds On Max Id Vgs为130 mOhm@4.4A，10V，Rds On漏极-源极电阻为130 m欧姆，功率最大值为2W，Pd功耗为3.9 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-261-4、TO-261AA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为298pF@40V，Id连续漏极电流为3.8 A，栅极电荷Qg Vgs为7.4nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为5.8 ns，漏极到源极电压Vdss为70V，电流连续漏极Id 25°C为2.7A（Ta），配置为单双漏极，并且信道模式是增强。
ZXMN7A11G7A，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN7A11G7A采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
