9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STN1N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STN1N20参考价格为2.678美元。STMicroelectronics STN1N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 1A SOT223。您可以下载STN1N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STN1HNK60是MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Ciss Vds为156pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为400mA（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3.7V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V，Pd功耗为3.3W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Rds漏极电阻为8.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19 ns，典型的开启延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为7nC，信道模式为增强。
STN1A60TA，带有SEMIWELL制造的用户指南。STN1A60TA采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
STN1HNC60，带有ST制造的电路图。STN1HNC6 0采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
