9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP6N90K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP6N90K5参考价格为2.49000美元。STMicroelectronics STP6N90K5封装/规格：MOSFET N-CH 900V 6A TO220。您可以下载STP6N90K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP6N80K5是MOSFET功率MOSFET，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有85 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.5ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为13nC，沟道模式为增强。
STP6N60M2带有用户指南，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.011640 oz等单位重量功能。典型开启延迟时间设计为9.5 ns，以及24 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh M2，上升时间为7.4nS，Rds漏极-源极电阻为1.06欧姆，Qg栅极电荷为8nC，Pd功耗为60W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为22.5 ns，配置为单一。
带有电路图的STP6N65M2，包括20 ns的下降时间，它们设计为在4 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作to-220-3封装盒。此外，封装为Tube，该器件提供60 W Pd功耗，该器件具有9.8 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为1.35欧姆，上升时间为7 ns，系列为MDmesh M2，技术为Si，商品名为MDmese，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为6.5ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为25V，Vgsth栅源极阈值电压为3V。
STP6N62K3是MOSFET N沟道620V 1.1，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si以及N沟道MDmesh系列中工作，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，信道模式为增强型，该器件提供90W Pd功耗，该器件具有620V的Vds漏极-源极击穿电压，Id连续漏极电流为5.5A，Qg栅极电荷为34nC，Vgs栅极-源极电压为30V，典型关断延迟时间为27ns，下降时间为19ns，典型接通延迟时间为13ns，上升时间为12.5纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.28欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.011640盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
