9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的IRF620，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF620参考价格为7.628美元。STMicroelectronics IRF620封装/规格：MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB。您可以下载IRF620英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6156是MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET，包括散装封装，它们设计用于6-FlipFet？包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于6-FlipFet？，除了2 N沟道（双）FET类型外，该器件还可以用作2.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供950pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.5A，最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@6.5A、4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为18nC@5V。
IRF6150是MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于16 FlipFet？供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如36 mOhm@7.9A，4.5V，Power Max设计用于3W，以及切割胶带（CT）封装，该设备也可以用作16 FlipFet？封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个P沟道（双）FET型，FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7.9A。
IRF6151CJ，带有TI制造的电路图。IRF6151CJ采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
