- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通电阻
RDS(开启)=最大6.5 mΩ(VGS=10 V,ID=41 A)
•低输入电容
Cis=4150 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(直流)=±82 A
•符合RoHS
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 17.60024 | 17.60024 |
10+ | 15.83297 | 158.32979 |
100+ | 12.72722 | 1272.72240 |
500+ | 10.45700 | 5228.50450 |
1000+ | 9.07173 | 9071.73200 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
•低导通电阻
RDS(开启)=最大6.5 mΩ(VGS=10 V,ID=41 A)
•低输入电容
Cis=4150 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(直流)=±82 A
•符合RoHS
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...