久芯网

N0604N-S19-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、156W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Isolated Tab 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.60024 17.60024
10+ 15.83297 158.32979
100+ 12.72722 1272.72240
500+ 10.45700 5228.50450
1000+ 9.07173 9071.73200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.60025
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.60
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 75 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 TO-220-3隔离接线片
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4150 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.5W(Ta)、156W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220 Isolated Tab
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 82A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 41A, 10V

N0604N-S19-AY 产品详情

  • 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
  • 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性

特色


•低导通电阻
RDS(开启)=最大6.5 mΩ(VGS=10 V,ID=41 A)
•低输入电容
Cis=4150 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(直流)=±82 A
•符合RoHS

N0604N-S19-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),N0604N-S19-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。N0604N-S19-AY价格参考¥17.600247,你可以下载 N0604N-S19-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询N0604N-S19-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

瑞萨电子 (Renesas)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部