硅N沟道MOSFET
特色
•低导通电阻•内置栅极保护二极管•雪崩能量能力得到保证
应用
- 汽车电子
2SK3711
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Ta) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2000+ | 17.70889 | 35417.78200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥17.70889
-
数量:
- +
- 总计: ¥35,417.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大功耗 130W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TO-3P
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8000 pF @ 10 V
- 制造厂商 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 35A, 10V
2SK3711 产品详情
2SK3711 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK3711所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3711 由 三垦电气株式会社 (Sanken) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3711价格参考￥17.708891，你可以下载 2SK3711中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3711规格参数、现货库存、封装信息等信息！
三垦电气株式会社 (Sanken)
Sanken Electric Co.，Ltd.是全球领先的模拟功率半导体产品供应商，设计和制造范围广泛的电源管理IC、电机控制IC、LED照明IC以及高品质的汽车半导体器件和分立元件。
