9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH30N25L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH30N25L2参考价格为19.25567美元。IXYS IXTH30N25L2封装/规格：MOSFET N-CH 250V 30A TO247。您可以下载IXTH30N25L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH2R4N120P是MOSFET 2.4 Amps 1200V，包括IXTH2R5N120系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281 oz的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
IXTH2N170D2是MOSFET N沟道MOSFET，包括1700 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及IXTH2N170系列，该器件也可以用作6.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为2A。
IXTH300N04T2是MOSFET沟槽T2功率MOSFET，包括300 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计用于2.5 mOhms，以及IXTH300NO4系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有40V的Vds漏极-源极击穿电压。
