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IXTH40N50L2是MOSFET 40安培500V，包括IXTH40N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于线性L2，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管型，该器件具有540 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为133 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为127ns，典型导通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为320nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTH41N25是MOSFET 41安培250V 0.072 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为79 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IXTH41N25系列，该器件具有19 ns的上升时间，漏极电阻Rds为72 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为41 A，下降时间为17 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH420N04T2是MOSFET沟槽T2功率MOSFET，包括420 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计用于2 mOhms，以及IXTH420NO4系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有40V的Vds漏极-源极击穿电压。
