9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TP0606N3-G-P002，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TP0606N3-G-P002参考价格为0.85800美元。Microchip Technology TP0606N3-G-P002封装/规格：MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3。您可以下载TP0606N3-G-P002英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TP0606N3-G是MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3，包括散装封装，其设计用于0.016000盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为320 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为3.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20 ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强。
TP0606N3-G-P002带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，器件具有7欧姆Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-320 mA，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TP0606N3-G-P003是MOSFET P-CH Enhancmnt模式MOSFET，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了15 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如-320 mA，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1 W，Rds漏极-源极电阻为7欧姆，上升时间为15 ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为20 ns，典型的开启延迟时间为10ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
TP0606N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，设计用于通孔安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，晶体管极性设计用于P通道，以及增强通道模式，该器件也可以用作7欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1沟道数量的沟道，该器件具有0.016000盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Id连续漏极电流为-320 mA。
