
CSD17570Q5BT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 德州仪器 (Texas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 21.51141 | 21.51141 |
10+ | 19.29508 | 192.95086 |
100+ | 15.51067 | 1551.06700 |
250+ | 14.56402 | 3641.00575 |
500+ | 12.74344 | 6371.72400 |
1000+ | 11.58501 | 11585.01900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥21.51141
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.51
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 德州仪器 (Texas)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.9V@250A.
- 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)
- 最大功耗 3.2W(Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 0.69欧姆@50A,10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 121 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13600 pF@15 V
CSD17570Q5BT 产品详情
N沟道NexFET™ 功率MOSFET,德州仪器
CSD17570Q5BT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD17570Q5BT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD17570Q5BT价格参考¥21.511413,你可以下载 CSD17570Q5BT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD17570Q5BT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
德州仪器 (Texas)

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