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GP2T080A120U

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 90.10167 90.10167
10+ 81.36673 813.66739
100+ 67.36259 6736.25910
500+ 58.65850 29329.25450
1000+ 51.60566 51605.66300
  • 库存: 16
  • 单价: ¥90.10168
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥90.10
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
  • 技术 碳化硅结型晶体管
  • 最大功耗 188W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 20A、20V时为100欧姆
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 10毫安
  • 制造厂商 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1377 pF@1000 V
  • 色彩/颜色 明确的

GP2T080A120U 产品详情

GP2T080A120U所属分类:分立场效应晶体管 (FET),GP2T080A120U 由 赛米奇公司 (SemiQ) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GP2T080A120U价格参考¥90.101676,你可以下载 GP2T080A120U中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GP2T080A120U规格参数、现货库存、封装信息等信息!

赛米奇公司 (SemiQ)

赛米奇公司 (SemiQ)

SemiQ设计、开发和制造碳化硅(SiC)功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式,也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识,包括子系统设计...

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