9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TN0110N3-G-P002，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN0110N3-G-P002参考价格为0.97900美元。Microchip Technology TN0110N3-G-P002封装/规格：MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3。您可以下载TN0110N3-G-P002英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TN0110N3-G P013带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为3纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为350 mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为2ns，沟道模式为增强。
TN0110N3-G P014带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2 ns，典型的关闭延迟时间设计为6 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在3 ns上升时间内提供，该器件具有4.5欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为350 mA，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN0110N3-G-P002，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，以3 ns为单位，提供连续漏电流特性，如350 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1 W，Rds漏极-源极电阻为4.5欧姆，上升时间为3 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为6 ns，典型接通延迟时间为2ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
TN0110N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，设计用于通孔安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，晶体管极性设计用于N通道，以及增强通道模式，该器件也可以用作4.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏极电流为350 mA，该器件提供100 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.016000盎司。
