特色
- 电阻与温度的垂直变化
- 极端高操作临界温度能力(TJ=200°C)
- Veryfastandroblastic半导体二极管
- 低电容

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 119.00084 | 119.00084 |
| 10+ | 109.36779 | 1093.67790 |
| 25+ | 104.83373 | 2620.84337 |
| 100+ | 93.55509 | 9355.50910 |
| 1000+ | 93.55472 | 93554.72900 |
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