9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2009LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2009LSS-13参考价格为0.30146美元。Diodes Incorporated DMN2009LSS-13封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP。您可以下载DMN2009LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2005UFG-7带有引脚细节，包括DMN2005系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.27 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为25.7 ns，Vgs栅极-源极电压为4.5 V，Id连续漏极电流为24.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为114ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为68.8nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN2008LFU-7，包括1.5V@250A Vgs th Max Id，它们设计用于U-DFN2030-6供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于5.4mOhm@5.5A，4.5V，提供1W等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及6-UFDFN外露衬垫包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1418pF@110V输入电容Cis-Vds，该器件具有42.3nC@110V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为14.5A。
带有电路图的DMN2005UPS-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN2005，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
