9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VP0550N3-G-P013，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VP0550N3-G-P013参考价格为1.66101美元。Microchip Technology VP0550N3-G-P013封装/规格：MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3。您可以下载VP0550N3-G-P013英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如VP0550N3-G-P013价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VP0550N3-G-P013带有引脚细节，包括弹药包包装，设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单配置使用。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-54 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Rds漏极源极电阻为85欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强。
VP0550N3-G P003带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为10 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，器件具有85欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-54 mA，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
VP0550N3-G P014，带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了10 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如-54 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1 W，Rds导通漏极源极电阻为85欧姆，上升时间为15 ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为10 ns，典型开启延迟时间为10ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
VP0550N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为采用通孔安装方式操作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计用于P通道以及增强通道模式，该器件也可以用作85欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1沟道数量的沟道，该器件具有0.016000盎司的单位重量，Id连续漏极电流为-54mA，Vds漏极-源极击穿电压为-500V。
