9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的DN2540N3-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DN2540N3-G-P003参考价格为0.97000美元。Microchip Technology DN2540N3-G-P003封装/规格：MOSFET N-CH 400V 120MA TO92。您可以下载DN2540N3-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DN2540N3-G P013，带引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.016000盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单配置使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 mA，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极漏极-漏极电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为耗尽。
DN2540N3-G P014，带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于400 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，器件具有25欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为120 mA，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
DN2540N3-G-P003，带电路图，包括耗尽通道模式，它们设计为单配置运行，数据表注释中显示了20 ns的下降时间，提供了120 mA的Id连续漏电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1 W，Rds漏极-源极电阻为25欧姆，上升时间为15 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为15纳秒，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极电压为20V。
DN2540N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，设计用于通孔安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，具有卷轴、晶体管极性等封装特性，设计用于N沟道，以及400 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作25欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏极电流为120 mA，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1个沟道数量的沟道，单位重量为0.016000盎司。
