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CSD13202Q2是MOSFET N-CH功率MOSFET 12V 9.3mohm，包括CSD13202Q3系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于WSON-FET-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13.6 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为14.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为800mV，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为5.1nC，正向跨导最小值为44S，沟道模式为耗尽。
CSD13302W是MOSFET 12 V N-ChanNexFET？功率MOSFET 4-DSBGA，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了CSD13302W等系列功能，封装设计为在卷轴中工作，以及1沟道数的通道。
CSD13302WT是MOSFET 12 V N-ChanNexFET？功率MOSFET 4-DSBGA，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于CSD13302W，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
