DMN90H2D2HCTI

Name: DMN90H2D2HCTI
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7144882-DMN90H2D2HCTI
Price: 13.037220 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	11.66106	116.61069
100+	9.08911	908.91150
500+	7.50828	3754.14000
1000+	5.92758	5927.58900
2000+	5.53241	11064.83400
5000+	5.38871	26943.59000

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大功耗 40W (Tc)
漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
漏源电压标 (Vdss) 900 V
供应商设备包装 ITO-220AB
导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@3A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.3 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1487 pF@25 V

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型号	制造商	描述	价格
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DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN90H2D2HCTI所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN90H2D2HCTI 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN90H2D2HCTI价格参考￥13.037220，你可以下载 DMN90H2D2HCTI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN90H2D2HCTI规格参数、现货库存、封装信息等信息！