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CSD25484F4是MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET，包括CSD25484F3系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LGA-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.5 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为-12 V，Id连续漏极电流为-2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为825mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为1090pC，正向跨导最小值为3.5S，并且信道模式是增强。
CSD25483F4是“TI制造的MOSFET 20V。CSD25483F4SOT883封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET 20V、P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R、MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET。
CSD25483F4T，带有TI制造的电路图。CSD25483F4 T以未知封装形式提供，是IC芯片的一部分，P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR，Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R，MOSFET 20V，P-CH FemtoFET MOSFET。
