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CSD18542KCS是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD18542KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导最小值为198S，并且信道模式是增强。
CSD18542KTTT是MOSFET 60V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD18542KTT系列，上升时间为4ns，漏极源极电阻Rds为3.3mOhm，Qg栅极电荷为44nC，Pd功耗为250W，封装为卷轴，封装外壳为TO-263-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为200 A，正向跨导最小值为198 S，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18542KTT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175，包括卷筒包装，它们设计为与CSD18542KTT系列一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
