9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4103DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4103DY-T1-GE3参考价格为0.81000美元。Vishay Siliconix SI4103DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO。您可以下载SI4103DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4090DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4090DY GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2410pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为19.7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为10mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为3.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为69nC@10V，Pd功耗为7.8W，Id连续漏极电流为19.7A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.3V，Rds漏极-源极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为27.9nC。
Si4063-C2A-GM，带有Silicon Labs制造的用户指南。是RF发射机的一部分，并支持“RF发射机亚GHz发射机EZRadioPRO、RF发射机802.15.4142MHz~1.05GHz 20dBm 1Mbps天线、RF发射机FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20针QFN EP、RF发射机亚Hz发射机EZRadioPRO、+20dBm。
Si4063-C2A-GMR，电路图由Silicon Labs制造。是RF发射机的一部分，并支持“RF发射机亚GHz发射机EZRadioPRO、RF发射机802.15.4142MHz~1.05GHz 20dBm 1Mbps天线、RF发射机FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20引脚QFN EP T/R、RF发射机亚Hz发射机EZRadioPRO、+20dBm。
SI410，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI410在TSSOP包中提供，是FET的一部分-单。
