VDSS=40伏
RDS（开启）=1.6mΩ
ID=160A
该HEXFET®功率MOSFET采用最新的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使这种设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于各种应用。
特色
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 允许重复雪崩达到Tjmax
- 无铅，符合RoHS
- 汽车认证
应用
- 有刷电机驱动
- 无刷电机驱动
- 电动动力转向
- 继电器的更换
AUIRF2804S-7P
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 126
- 库存: 0
- 单价: ¥17.31053
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,181.13
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 260 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 240A（Tc）
- 最大功耗 330W (Tc)
- 包装/外壳 到263-7，DPak（6引线+接线片），TO-263CB
- 供应商设备包装 D2PAK (7-Lead)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.6毫欧姆@160A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6930 pF @ 25 V
AUIRF2804S-7P 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | AUI15-4677 | 联合元件国际公司 (Allied) | 240uH, UI15 Core SMD Transformer | ¥47.07885 |
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 | AUIRFS4310Z | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13766 |
| AUIRFU8403-701TRL | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.26947 |
| AUIRFB8405-071 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 163W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.2878 |
| AUIRG4BC30S-S | AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC | ¥11.0728 | |
 | AUIRGP35B60PD-E | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.20049 |
AUIRF2804S-7P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AUIRF2804S-7P 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。AUIRF2804S-7P价格参考￥17.310531，你可以下载 AUIRF2804S-7P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AUIRF2804S-7P规格参数、现货库存、封装信息等信息！