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IRFB5620PBF是MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供144 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.9 ns，上升时间为14.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为72.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.1ns，典型接通延迟时间为8.6ns，Qg栅极电荷为25nC，正向跨导Min为37S，沟道模式为增强。
IRFB5620是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB。IRFB562采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 25A-TO-220AA。
IRFB59N10D是由IR/VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB。IRFB59N10D在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB。
