9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP60R520C6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP60R520C6参考价格0.64000美元。Infineon Technologies IPP60R520C6封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPP60R520C6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IPP60R520C6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP60R450E6是MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220，包括CoolMOS E6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP60R4 50E6XK IPP60R550E6XKSA1 SP000842486中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为74 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds漏极上-源极电阻为410mOhms，晶体管极性为N沟道。
IPP60R385CPXK带有用户指南，包括2.5 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件还可以用作385毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为83 W，该设备采用IPP60R385CP IPP60R185CPXKSA1 SP000082281零件别名，该设备具有一个包装管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为9 a。
IPP60R450E6XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。包装如数据表说明所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPP60R4 50E6 IPP60R550E6XK SP000842486，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
