9icnet为您提供由英飞凌技术公司设计和生产的IPD031N03LGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD031N03LGATMA1参考价格为0.95000美元。Infineon Technologies IPD031N03LGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3。您可以下载IPD031N03LGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD031N03L G是MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。IPD031NO3LGATMA1 IPD031NO 3LGBTMA1 IPD031 N03LGXT SP000236957中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
IPD031N03L，带有INFINEON制造的用户指南。IPD331N03L采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
IPD031N03LG，带有INFINEON制造的电路图。IPD331N03LG采用D-PAK封装，是FET的一部分-单个。
