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IPI045N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI045N1 0N3GXK IPI045N 0N3GXKSA1 SP000683068的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为59 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强。
IPI052NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如30 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件的上升时间为11 ns，漏极-源极电阻Rds为5.2 mOhms，Qg栅极电荷为51 nC，Pd功耗为150 W，部件别名为IPI052NE7N3GAKSA1 SP000657442，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
IPI045N10N3GPXKSA1是MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作，封装如数据表中所示，用于管中，提供部件别名功能，如G IPI045N1 0N3IPI045N 0N3GPRK SP000683068，系列设计为在XPI045N10以及Si技术中工作，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
