SPA11N60C3XKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-31 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 30.63746 | 30.63746 |
| 10+ | 27.53750 | 275.37506 |
| 100+ | 22.56525 | 2256.52550 |
| 500+ | 19.28639 | 9643.19700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥26.65387
-
数量:
- +
- 总计: ¥30.64
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1200 pF @ 25 V
- 最大功耗 33W (Tc)
- 供应商设备包装 PG-TO220-3-31
- 导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 7A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 500A
SPA11N60C3XKSA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™C3功率MOSFET
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SPA11N60C3XKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SPA11N60C3XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SPA11N60C3XKSA1价格参考￥26.653872，你可以下载 SPA11N60C3XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SPA11N60C3XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
