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IRFPS3810PBF是MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247，包括管封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-274-3，提供Si等技术特性，通道数设计用于1个通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为441W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为140 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为141 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为260nC，沟道模式为增强。
IRFPS3810是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247。IRFPS3810TO-274AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 170V SUPER247、N沟道100V 170B（Tc）580W（Tc）通孔SUPER-247（TO-274AB）。
IRFPS3815是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247。IRFPS3715采用TO-274AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 105B SUPER247。
