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HUFA75645S3S是MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK，包括UltraFET系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在HUFA75545S3S_NL中使用的数据表注释中，HUFA75654S3S_NL提供单位重量功能，例如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为310 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为97 ns，上升时间为117 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为14mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
HUFA75639S3ST是MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.046296 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns，器件的漏极-源极电阻为25 mOhms，Pd功耗为200 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为56A，下降时间为25ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
HUFA75639S3ST_F085A带有电路图，包括56 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装类型功能，通道数设计为1个通道，以及to-252-3封装盒，该设备也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为200 W，器件提供25 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.046296 oz，Vds漏极源极击穿电压为100 V。
HUFA75645P3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB。HUFA75645P3以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB、N沟道100V 75V（Tc）310W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH100V 75B Automotive 3引脚（3+Tab）TO-220AC导轨。
