SUM60061EL-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 44.97840 | 44.97840 |
| 10+ | 40.41538 | 404.15382 |
| 100+ | 33.11526 | 3311.52630 |
| 500+ | 28.19023 | 14095.11800 |
| 1000+ | 25.47313 | 25473.13400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥44.97841
-
数量:
- +
- 总计: ¥44.98
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 150A（Tc）
- 最大功耗 375W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-263（DPak）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.1毫欧姆 @ 20A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 218 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9600 pF@40 V
- 材质 钢
SUM60061EL-GE3 产品详情
Vishay SUM和SUP ThunderFET TrenchFET MOSFET引入了新的N沟道极性选项，以扩展ThunderFET和TrenchFETIV系列低和中端Vds电压MOSFET。这些MOSFET封装在具有60V、80V和100V Vds电压的TO-220和TO-263封装中。典型应用包括电源、电机驱动开关、DC/DC功率逆变器和转换器、电动工具和电池管理。
SUM60061EL-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SUM40012EL-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.71469 |
 | SUM60N02-3M9P-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.52782 |
 | SUM110P06-07L-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.9716 |
 | SUM110N10-09-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥29.62346 |
 | SUM70101EL-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥32.15848 |
 | SUM90N10-8M2P-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.67949 |
 | SUM110P06-08L-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.75191 |
 | SUM45N25-58-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.04163 |
 | SUM70030M-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.79873 |
 | SUMMRNGHT5PC | SUMMER NIGHT 5-PIECE OUTDOOR PAT | ¥0.00 |
SUM60061EL-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUM60061EL-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUM60061EL-GE3价格参考￥44.978409，你可以下载 SUM60061EL-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUM60061EL-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
