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IST019N08NM5AUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 290A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 313W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-5-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 37.01121 37.01121
10+ 33.24491 332.44911
100+ 27.23765 2723.76500
500+ 23.28012 11640.06450
2000+ 23.28012 46560.25800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥37.01122
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥37.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 132 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.9毫欧姆@100A,10V
  • 包装/外壳 5-PowerSFN
  • 供应商设备包装 PG-HSOF-5-1
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Ta), 290A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 148A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6600 pF @ 40 V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 313W (Tc)
  • 材质

IST019N08NM5AUMA1 产品详情

IST019N08NM5AUMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IST019N08NM5AUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IST019N08NM5AUMA1价格参考¥37.011219,你可以下载 IST019N08NM5AUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IST019N08NM5AUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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