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STW10N105K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.14207 36.14207
10+ 32.46992 324.69921
100+ 26.60099 2660.09990
500+ 22.64478 11322.39100
1000+ 21.70226 21702.26300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥32.88277
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥36.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大功耗 130W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 30伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 1050伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21.5 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 545 pF @ 100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.3欧姆@3A,10V

STW10N105K5 产品详情

这些器件是使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过优化ST成熟的基于带状的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。

特色

  • 极高的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试
  • 网关费用最小化
  • 齐纳保护
STW10N105K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STW10N105K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STW10N105K5价格参考¥32.882766,你可以下载 STW10N105K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STW10N105K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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