这些器件是使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过优化ST成熟的基于带状的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
特色
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 网关费用最小化
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 36.14207 | 36.14207 |
10+ | 32.46992 | 324.69921 |
100+ | 26.60099 | 2660.09990 |
500+ | 22.64478 | 11322.39100 |
1000+ | 21.70226 | 21702.26300 |
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这些器件是使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过优化ST成熟的基于带状的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外,该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
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