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AUIRFS3207Z是MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm汽车MOSFET，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为68 ns，上升时间为68纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为170 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导Min为280S，并且信道模式是增强。
AUIRFS3206是MOSFET 60V 210A 3 mOhm汽车MOSFET，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及2.4 mOhm Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作120nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为300 W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-252-3封装外壳，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为210 a。
AUIRFS3206TRL是MOSFET 60V 210A 3 mOhm汽车MOSFET，包括210 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C。SMD/SMT中使用的数据表注释中显示了安装方式，该产品提供了多个通道功能，如1个通道，封装盒设计用于to-252-3，以及卷筒封装，该器件也可以用作300W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为120 nC，器件提供2.4 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为60 V。
