FDBL86366-F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 最大功耗: 300W (Tj) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 24.55343 | 24.55343 |
| 10+ | 22.08360 | 220.83602 |
| 100+ | 18.09348 | 1809.34880 |
| 500+ | 15.40246 | 7701.23050 |
| 1000+ | 14.76139 | 14761.39200 |
| 2000+ | 14.76139 | 29522.78400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥24.55343
-
数量:
- +
- 总计: ¥24.55
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 112 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 80A, 10V
- 最大功耗 300W (Tj)
- 供应商设备包装 8-HPSOF
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6320 pF @ 40 V
FDBL86366-F085 产品详情
Fairchild Semiconductor FDBL863x3_F085 N沟道PowerTrench MOSFET使用先进的PowerTrench生产� 过程它们具有UIS功能� 符合RoHS要求，符合AEC Q101要求。典型应用包括汽车发动机控制、动力传动系管理、电磁阀和电机驱动器、集成启动器/交流发电机和� 12V系统的主开关。
FDBL86366-F085 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDBD-25S(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT | ¥81.12048 |
| FDBD-25P(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDBL86366-F085所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDBL86366-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDBL86366-F085价格参考￥24.553431，你可以下载 FDBL86366-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDBL86366-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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