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IPT010N08NM5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Ta), 425A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 62.21651 62.21651
10+ 56.20490 562.04904
100+ 46.53346 4653.34600
500+ 43.57038 21785.19450
2000+ 43.57038 87140.77800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥62.21651
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥62.22
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规格参数

  • 长(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 16000 pF@40 V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 375W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 280A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 223 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PG-HSOF-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 43A (Ta), 425A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.05欧姆@150A,10V

IPT010N08NM5ATMA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™3个功率MOSFET,100V及以上

特色

  • 行业最低R DS(开启)
  • 最高电流能力>480A
  • 非常低的封装寄生和电感
  • 需要更少的并联和冷却
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 实现非常紧凑的设计

应用

  • 叉车
  • 轻型电动汽车(LEV),例如电动滑板车、电动自行车或µ-汽车
  • 负载点(POL)
  • 电信
  • efuse公司
IPT010N08NM5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPT010N08NM5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPT010N08NM5ATMA1价格参考¥62.216511,你可以下载 IPT010N08NM5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPT010N08NM5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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