特色
- 700伏@TJ=150°C
- 类型。RDS（开）=96 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型Qg=98 nC）
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=464 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
FCB125N65S3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 181W（Tc） 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 23.53942 | 23.53942 |
| 10+ | 21.12753 | 211.27539 |
| 100+ | 17.31053 | 1731.05310 |
| 800+ | 14.73589 | 11788.71760 |
| 1600+ | 14.12256 | 22596.11040 |
- 库存: 0
- 单价: ¥23.53943
-
数量:
- +
- 总计: ¥23.54
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@12A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1940 pF@400 V
- 最大功耗 181W（Tc）
- 供应商设备包装 DPAK-3 (TO-263-3)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 590A
FCB125N65S3 产品详情
SuperFET®II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低的栅极电荷性能，SuperFET®II FRFET®非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、FPD电视电源、计算电源、照明和工业电源应用。
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 | FCB46K8J | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 6.8 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB4560RJ | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 560 Ohms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB44K7J | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 4.7 kOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB4R33J | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 330毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB4470RJ | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 470欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB4220RJ | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 220欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB410RJ | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 10欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
 | FCB4330RJ | 泰科无源产品 (Passive Product) | 电阻: 330欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 4瓦 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.62715 |
FCB125N65S3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCB125N65S3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCB125N65S3价格参考￥23.539425，你可以下载 FCB125N65S3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCB125N65S3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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