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IPB083N15N5LFATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 55.77033 55.77033
10+ 50.05568 500.55682
100+ 41.01364 4101.36460
500+ 35.05418 17527.09350
1000+ 35.05418 35054.18700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥48.45500
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55.77
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 长(英寸) 72
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 105A(Tc)
  • 最大功耗 179W(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210 pF@75 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.3毫欧姆 @ 100A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 134A

IPB083N15N5LFATMA1 产品详情

英飞凌100V OptiMOS™ 功率MOSFET为高效率、高功率密度SMPS提供了卓越的解决方案。与次优技术相比,该系列在R DS(开启)和FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特色

  • 出色的切换性能
  • 世界最低R DS(开启)
  • 非常低的Q g和Q gd
  • 优秀的栅极电荷x R DS(on)乘积(FOM)
  • 符合RoHS要求的无卤素
  • MSL1额定值2
  • 环境友好型
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 需要更少的并联
  • 最小的板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

  • 交直流开关电源的同步整流
  • 48V–80V系统(即家用车辆、电动工具、卡车)的电机控制
  • 隔离DC-DC转换器(电信和数据通信系统
  • 或48V系统中的开关和断路器
  • D类音频放大器
  • 不间断电源(UPS)
IPB083N15N5LFATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB083N15N5LFATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB083N15N5LFATMA1价格参考¥48.455001,你可以下载 IPB083N15N5LFATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB083N15N5LFATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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