特色
- RDS（开）=3.8mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=100A
- 快速切换速度
- 低栅极电荷，QG=54nC（典型值）
- 用于极低RDS的高性能沟槽技术（开启）
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS
应用
- AC-DC商用电源
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- AC-DC商用电源-台式电脑
- 不间断电源
- 其他数据处理
- 电动自行车
FDI045N10A
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 263W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 125
- 库存: 0
- 单价: ¥14.55823
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,819.78
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 宽（英寸） forty-eight
- 长（英寸） 72
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 TO-262-3长引线，我巴基斯坦，TO-262AA
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 74 nC @ 10 V
- 制造厂商
- 供应商设备包装 I2PAK (TO-262)
- 最大功耗 263W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 100A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5270 pF @ 50 V
- 材质 -
FDI045N10A 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。
FDI045N10A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDI18-187Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDI10-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥5.43218 |
 | FDI18-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDI14-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 14-16 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDI14-250C | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 14-16 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥1.76727 |
 | FDI14-187Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 14-16 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDI9406 | 110A, 40V, N CHANNEL, MOSFET, T | ¥12.38536 | |
 | FDI038AN06A0_NL | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥25.49501 | |
 | FDI040N06 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 231W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.45779 | |
 | FDI047AN08A0 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.03482 |
FDI045N10A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDI045N10A 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDI045N10A价格参考￥14.558229，你可以下载 FDI045N10A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDI045N10A规格参数、现货库存、封装信息等信息！