特色
- 以更低的成本直接更换DPAK
- 低功耗设计节省空间
- 与DPAK类似的热性能
应用
- 照明
- 适配器
- 消费者
IPN50R1K4CEATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: PG-SOT223-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.21488 | 5.21488 |
| 10+ | 4.49784 | 44.97841 |
| 100+ | 3.35563 | 335.56360 |
| 500+ | 2.63685 | 1318.42500 |
| 1000+ | 2.03757 | 2037.57300 |
| 3000+ | 1.99759 | 5992.77600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.56303
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.21
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 13伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A (Tc)
- 最大功耗 5W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V @ 70A
- 供应商设备包装 PG-SOT223-3
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@900毫安，13伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 178 pF@100 V
IPN50R1K4CEATMA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™ CE功率MOSFET
IPN50R1K4CEATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IPNT-1316 | 附件种类: 螺母 材质: 塑料 色彩/颜色: 黑色 | ¥37.37336 | |
 | IPNT-1316 | ITT坎农 (ITT Cannon ) | 附件种类: 螺母 材质: 塑料 色彩/颜色: 黑色 | ¥74.60187 |
| IPN104 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | ¥109.72994 |
| IPN102 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | ¥170.71515 |
| IPN101 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, IBN ADAPTER, MBN800- | ¥195.12373 |
| IPN103 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI | ¥243.86844 |
 | IPNW-6-6-1/2X13-F | INDEXING PLUNGER WITH LOCKNUT | ¥136.16652 | |
 | IPNW-6-6-M12X1.5-F | INDEXING PLUNGER WITH LOCKNUT | ¥136.16652 | |
| IPN60R600P7S | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.16273 | |
| IPN60R1K0CE | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.72358 |
IPN50R1K4CEATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPN50R1K4CEATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPN50R1K4CEATMA1价格参考￥4.563027，你可以下载 IPN50R1K4CEATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPN50R1K4CEATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
