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IPP60R125CP是MOSFET N-CH 650V 25A TO-220，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP60R125CPXK IPP60R225CPXKSA1 SP000088488中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为208 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为53nC，沟道模式为增强。
IPP60R125C6是MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有典型的关断延迟时间特性，如83纳秒，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为125 mOhms，Qg栅极电荷为96 nC，Pd功耗为219 W，部件别名为IPP60R125C6XK IPP60R225C6XKSA1 SP000685844，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为7 ns，配置为单一。
IPP60R125CP 6R125P，电路图由FEELING制造。IPP60R125CP 6R125P采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
