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IPT008N06NM5LFATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 454A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 54.32175 54.32175
10+ 49.04891 490.48919
100+ 40.61094 4061.09400
500+ 38.02522 19012.61250
2000+ 38.02522 76050.45000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥54.32175
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥54.32
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 250A
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 最大功耗 278W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 185 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 980 pF@30 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 454A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 800欧姆 @ 150A, 10V
  • 供应商设备包装 PG-HSOF-8
  • 材质 -

IPT008N06NM5LFATMA1 产品详情

IPT008N06NM5LFATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPT008N06NM5LFATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPT008N06NM5LFATMA1价格参考¥54.321750,你可以下载 IPT008N06NM5LFATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPT008N06NM5LFATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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