
IPDD60R075CFD7XTMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W(Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 61.56465 | 61.56465 |
10+ | 55.61822 | 556.18229 |
100+ | 46.04746 | 4604.74610 |
500+ | 43.11553 | 21557.76750 |
1700+ | 43.11553 | 73296.40950 |
- 库存: 0
- 单价: ¥53.52503
-
数量:
- +
- 总计: ¥61.56
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 570A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 51 nC @ 10 V
- 最大功耗 266W(Tc)
- 供应商设备包装 PG-HDSOP-10-1
- 包装/外壳 10 PowerSOP模块
- 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 11.4A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2102 pF@400 V
- 材质 钢
IPDD60R075CFD7XTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPDD60R075CFD7XTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPDD60R075CFD7XTMA1价格参考¥53.525031,你可以下载 IPDD60R075CFD7XTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPDD60R075CFD7XTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。