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FDBL0200N100

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 429W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 54.82875 54.82875
10+ 49.56316 495.63165
100+ 41.03175 4103.17530
500+ 36.67283 18336.41550
2000+ 36.67283 73345.66200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥54.82875
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥54.83
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规格参数

  • 宽(英寸) 72
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 最大功耗 429W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 300A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 133 nC@10 V
  • 供应商设备包装 8-HPSOF
  • 导通电阻 Rds(ON) 2毫欧姆@80A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9760 pF@50 V

FDBL0200N100 产品详情

FDBL0200N100所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDBL0200N100 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDBL0200N100价格参考¥54.828753,你可以下载 FDBL0200N100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDBL0200N100规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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