9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17303Q5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17303Q5价格参考1.92000美元。德州仪器CSD17303Q5封装/规格：MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON。您可以下载CSD17303Q5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17302Q5A是MOSFET N-CH 30V 87A 8SON，包括CSD17302Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds漏极-源极电阻为9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6ns，典型接通延迟时间为5.2ns，Qg栅极电荷为5.4nC，正向跨导Min为68S。
CSD17301Q5A是MOSFET N-CH 30V 28A 8SON，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及NexFET商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17301Q5A，器件的上升时间为16.2纳秒，器件的漏极-源极电阻为3 mOhms，Qg栅极电荷为19 nC，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为10.5 ns，配置为单一。
CSD17301带有TI制造的电路图。CSD17301采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
